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NSi6602C-DLAR隔离式双通道栅极驱动器IC
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NSi6602C-DLAR隔离式双通道栅极驱动器IC

该驱动器的电源电压为28V,而输入侧则接受2.7V至5V的电源电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。

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  • 地   址:
    上海 上海 松江区 启迪漕河泾(中山)科技园紫荆园一号楼601
品牌:纳芯微型号:NSi6602C-DLAR类型:驱动IC
封装:SOIC14/16批号:2022+

NSi6602C-DLAR隔离式双通道栅极驱动器IC详细介绍

?  隔离式双通道驱动器

?  输入侧电源电压: 2.7V至5.5V

?  驱动器侧电源电压:使用UVLO时高达28V

?  峰值4A/6A拉灌电流能力

?  高CMTI: ±100KV/μs

?  19ns典型传播延迟

?  5ns延迟匹配

?  6ns脉冲宽度失真

?  可编程死区时间

?  接受最小输入脉冲宽度20ns

?  工作温度 -40℃~125℃

?  封装形式

    LGA13

    SOIC14宽体

    SOIC16宽体

    SOIC16窄体


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